Tlenki

Otrzymywany metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową
Średnica 2"
Orientacja <100> lub <111> lub <110>
Dostępne typy i ich parametry
- niedomieszkowany półizolujący
- niedomieszkowany typ n
- domieszkowany siarką (S)
typ n
- domieszkowany cynkiem (Zn)
typ p
- domieszkowany kadmem (Cd)
typ p
- domieszkowany chromem (Cr)
półizolujący

Zastosowania

Fosforek galu jest używany do produkcji tanich czerwonych, pomarańczowych i zielonych diod elektroluminescencyjnych (LED) o niskiej lub średniej wartości jasności.

Fosforek galu może być stosowany w przełącznikach optycznych. Przełączniki optyczne są istotnym elementem współczesnych sieci optycznych.

Zastosowania fosforku galu:
- diody elektroluminescencyjne (LED) - czerwone, pomarańczowe i zielone
- zastosowania THz, emitery i detektory
- przełączniki optyczne

Arsenek indu (InAs)

Otrzymywany metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową
Średnica 2"
Orientacja <100> lub <111>
Dostępne typy i ich parametry
- niedomieszkowany
typ n
- domieszkowany siarką (S)
typ n
- domieszkowany cynkiem (Zn)
typ p

Zastosowania

Arsenek indu jest materiałem o prostej przerwie energetycznej stosowanym do budowy detektorów promieniowania podczerwonego, dla zakresu długości fal 1–3,8 µm.

Detektorami są zazwyczaj fotodiody w trybie fotowoltaicznym.

Detektory chłodzone kriogenicznie wykazują niższe poziomy szumów, ale detektory InAs mogą być również używane w zastosowaniach z większą mocą w temperaturze pokojowej.

Zastosowania arsenku indu:
- detektory promieniowania podczerwonego, fotodiody w trybie fotowoltaicznym, chłodzone kriogenicznie, dużej mocy
- diody laserowe
- źródło promieniowania THz i kropki kwantowe
- rotatory Faradaya

Arsenek galu (GaAs)

Otrzymywany metodą Czochralskiego
z hermetyzacją cieczową
Średnica 2"
Orientacja <100> lub <111> lub <110> lub <310>
Dostępne typy i ich parametry
- domieszkowany tellurem (Te), cyną (Sn), krzemem (Si)
typ n
- domieszkowany cynkiem (Zn)
typ p
- domieszkowany chromem (Cr)
półizolujący
- niedomieszkowany
półizolujący

Zastosowania

Arsenek galu jest materiałem półprzewodnikowym stosowanym w diodach, tranzystorach polowych (FET) i układach scalonych.Arsenek galu może być używany jako emiter THz z emisją polową.

Zastosowania arsenku galu:
- mikrofalowe układy scalone
- diody podczerwone
- diody laserowe
- ogniwa słoneczne
- okna optyczne
- zastosowania THz

Nasze produkty i usługi

Produkujemy i opracowujemy różnorodne materiały:

Monokryształy AIIIBV: GaAs, InAs, GaP, InP, GaSb
Inne materiały: SiC, Bi₂Te₃,Bi₂Se₃, BTS, BST
Tlenki: Y₃Al₅O₁₂,Lu₃Al₅O₁₂,LuAP, Gd₃Al₂Ga₃O₁₂, YAlO₃,GdCa₄O(BO₃)₃,YVO₄, Yb: CALGO, TSAG, MALO, YAG: V3+, YAG: Cr4+, YAG: Co2+

Nasze materiały sprzedajemy w różnych formach i kształtach dostosowanych do Państwa potrzeb:

polerowane płytki podłożowe epi-ready
płytki podzielone na mniejsze części
elementy o innych kształtach, m.in. kostki
polikryształy w formie obtoczonych walców

Dzielimy się naszą wiedzą ze środowiskiem akademickim:

know-how na temat wzrostu kryształów i obróbki mechaniczno-chemicznej (OMC) naszych materiałów

Małgorzata Mroczkowska

sprzedaż

Jesteśmy gotowi przygotować produkty
na indywidualne zamówienia, zgodnie
z Państwa potrzebami. Prosimy o kontakt
z nami pod adresem: malgorzata.mroczkowska@ensemble3.eu

Antymonek galu (GaSb)

Otrzymywany zmodyfikowaną metodą Czochralskiego
Średnica 2"
Orientacja <100> lub <111>
Dostępne typy i ich parametry
- niedomieszkowany
typ p
-domieszkowany krzemem (Si)
typ p
- domieszkowany cynkiem (Zn)
typ p
- domieszkowany tellurem (Te)
typ n

Zastosowania

Antymonek galu służy jako materiał podłożowy do otrzymywania potrójnych i poczwórnych warstw materiałów półprzewodnikowych.

Poddany obróbce termicznej antymonek galu może być używany jako emiter THz z emisją polową
z wydajnością porównywalną do arsenku galu.

Zastosowania antymonku galu
- detektory podczerwieni
- podczerwone diody LED
- diody lasoerowe
- tranzystory
- zastosowania THz

Fosforek indu (InP)

Otrzymywany metodą Czochralskiego
z hermetyzacją cieczową
Średnica 2"
Orientacja <100> lub <111>
Dostępne typy i ich parametry
- niedomieszkowany
typ n
- domieszkowany siarką (S) lub cyną (Sn)
typ n
- domieszkowany cynkiem (Zn)
typ p
- domieszkowany żelazem (Fe)
półizolujący

Zastosowania

Fosforek indu (InP) jest używany do produkcji wydajnych laserów, czułych fotodetektorów
i modulatorów w typowym oknie używanym
w telekomunikacji, tj. o długości fali 1550 nm, ponieważ jest to materiał półprzewodnikowy
o prostej przerwie energetycznej III-V.

Fosforek indu jest używany do generowania promieniowania THz razem z arsenkiem galu,
ze względu na ich wysoką wydajność.

Zastosowania fosforku indu:
- produkcja diod laserowych i LED
- heterozłączowe tranzystory bipolarne do optoelektronicznych układów scalonych,
- ogniwa słoneczne
- zastosowania THz

Materiały termoelektryczne

Tellurek bizmutu (Bi₂Te₃), selenek bizmutu (Bi₂Se₃), tellurek bizmutu z selenem (BTS), tellurek bizmutu z antymonem (BST), domieszkowane lub niedomieszkowane

Zastosowania

przemysł motoryzacyjny – odzysk ciepła
w silnikach spalinowych
przemysł kosmiczny – radioizotopowe generatory prądu elektrycznego w sondach kosmicznych
odnawialne źródła energii – połączone systemy solarne i termogeneracyjne, wykorzystywanie szerszego zakresu częstotliwości promieniowania

Węglik krzemu (SiC)

Węglik krzemu jest stosowany
w półprzewodnikowych urządzeniach elektronicznych, które działają w wysokich temperaturach lub wysokich napięciach, lub
w obu przypadkach.
Azotek galu (GaN) – bezpośrednia konkurencja o wyższej częstotliwości roboczej, gorszym przewodzeniu ciepła i mniej dostępny, a więc SiC jest lepszym wyborem dla energetyki wysokiej mocy.

Zastosowania

Elektronika użytkowa
- Zasilacze do komputerów
- Zasilacze awaryjne (UPS)
- Pojazdy hybrydowe/elektryczne
Przemysł
- Przełączniki AC/DC i DC/AC
- Przesyłanie energii elektrycznej
- Pojazdy szynowe
- Odnawialne źródła energii
- Silniki elektryczne (falowniki)

Materiały aktywne do laserów

Przykłady materiałów aktywnych: tlenek glinowo-wapniowy aluminium domieszkowany iterbem (Yb: CaGdAlO₄, Yb: CALGO).
Zastosowania Yb: CALGO: szeroko stosowany w obróbce laserowej, np. femtosekundowy oscylator z cienką tarczą w laserze femtosekundowym.
Yb: CALGO: bardzo efektywny ośrodek laserowy do ultraszybkich laserów dużej mocy.
Można kontrolować poziom domieszkowania w celu optymalizacji wymagań pompowania.

Materiały scyntylacyjne

Materiały dla optoelektroniki

Wybrane tlenki

granaty syntetyczne, takie jak granat itrowo-aluminiowy (Y₃Al₅O₁₂), granat lutetowo-aluminiowy (Lu₃Al₅O₁₂), granat gadolinowo-glinowy (Gd₃Al₂Ga₃O₁₂)
perowskity takie jak ortoglinian itru (YAlO₃) domieszkowany neodymem (Nd) lub innymi lantanowcami, tlenek gadolinu-wapnia (GdCa₄O(BO₃)₃), oraz kryształy ortowanadanu (YVO₄)

Zastosowania

scyntylatory
materiały aktywne do laserów
izolatory optyczne
pasywne modulatory dobroci rezonatorów laserowych
materiały optyki nieliniowej
materiały bazowe/podkłady pod różnego rodzaju struktury elektroniczne

Scyntylatory – materiały emitujące światło po wzbudzeniu promieniowaniem jonizującym
Przykład scyntylatora – perowskit lutetu aluminium (LuAlO₃ , LuAP) domieszkowany cerem (Ce).
Detektory promieniowania jonizującego w pozytonowej tomografii emisyjnej (PET).

Materiały nieliniowe optycznie (NLO)

Materiały NLO – pozwalają zmieniać kolor wiązki światła, jej kształt w przestrzeni i czasie oraz tworzyć najkrótsze zdarzenia wywołane przez człowieka.
Przykłady materiałów NLO – spinel (glinian magnezu) domieszkowany kobaltem (MgAl₂O₄: Co, MALO), granat itrowo-aluminiowy domieszkowany wanadem (YAG: V3+), chromem (YAG: Cr4+) lub kobaltem (YAG: Co2+).
MALO to nieliniowy absorber, stosowany w mikrolaserach z impulsem 10 kW i kamerach z dalmierzami o zasięgu do kilku kilometrów.

Izolatory optyczne

Kryształy granatu na bazie terbu, skandu i aluminium (TSAG) jest kluczowym materiałem izolacyjnym do laserów światłowodowych nowej generacji.
TSAG: kryształ magnetooptyczny idealny do widma widzialnego i podczerwieni.
Zalety TSAG: doskonałe właściwości termiczne i mechaniczne, wysoka stała Verdeta.
Stała Verdeta: miara siły zjawiska Faradaya w danym materiale, wysoka wartość stałej = silne zjawisko Faradaya, oznacza materiał odpowiedni do budowy izolatora optycznego.