Grupa Badawcza Technologii Materiałów Funkcjonalnych
Grupa Badawcza Nanocharakteryzacji Optycznej
Grupa Badawcza Inverse Materials Design
Grupa Badawcza Systemów Energetycznych Nowej Generacji
Grupa Badawcza Zastosowań Biofotonicznych
Grupa Badawcza Konwersji Energii Słonecznej
Grupa Badawcza Monokryształów Tlenkowych
Grupa Badawcza Związków Półprzewodnikowych A3B5
Laboratoria
Laboratorium Krystalizacji Materiałów A3B
Laboratorium Monokrystalizacji Materiałów Tlenkowych
Laboratorium Optycznej Nanocharakteryzacji Materiałów
Laboratorium Materiałów Funkcjonalnych
Ensemble3 sp. z o.o.
01-919 Warszawa
ul. Wólczyńska 133
NIP 1182211096
KRS 0000858669
📢 Zapraszamy na wykład profesora Takashiego Matsuoki, który odbędzie się 12-09-2023 (we wtorek). Jego pionierskie prace nad materiałami optoelektronicznymi doprowadziły do rewolucyjnych zmian w oświetleniu półprzewodnikowym i nie tylko. 🌍
🗓️ Data: 12-09-2023
🕙 Czas: 9:30 - 11:00 AM
🏢 Lokalizacja: Ensemble3 Open Space, Budynek 8, Łukasiewicz - Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki
🎤 Zapraszamy do wysłuchania wykładu "My Research History - From Materials to Devices", będącego podróżą przez zakrojone na szeroką skalę badania prof. Matsuoki, które obejmują ponad 40 lat i zaowocowały innowacjami, które ukształtowały współczesną optoelektronikę. 🎓💡
📚 Prof. Matsuoka omówi rozwój i wpływ laserów z rozproszonym sprzężeniem zwrotnym (DFB-LD) oraz znaczenie półprzewodników azotkowych w dziedzinie optoelektroniki.
📚 Lasery z rozproszonym sprzężeniem zwrotnym (DFB-LD)
Przed pojawieniem się DFB-LD, jednym z elementów laserów był rezonator typu Fabry-Perot z lustrami na obu końcach elementu. Użycie tego rezonatora powodowało oscylację wielu fal stojących. Z drugiej strony, DFB-LD oscylują na pojedynczej długości fali. W rezultacie wydajność transmisji została zwiększona o współczynnik 25 000, a odległość transmisji została zwiększona o rząd wielkości. Opowiem o rozwoju technologicznym produkcji tego urządzenia.
📚 Półprzewodniki azotkowe
GaN jest reprezentatywnym półprzewodnikiem azotkowym. GaN jest materiałem świecącym w ultrafiolecie. Co więcej, sam GaN nie może być używany do produkcji wysokowydajnych urządzeń emitujących światło. Chciałbym przedstawić moje postępy w badaniach nad wysokowydajnymi niebieskimi diodami LED emitującymi światło. Omówimy również tranzystory dla 5G oraz tranzystory wysokiej mocy/wysokiego napięcia do napędów silników samochodowych, na które będzie zapotrzebowanie w przyszłości.
Do zobaczenia! 🤝📖